Bitte beachten Sie, dass dieser Titel uberwiegend aus Inhalten besteht, die im Internet kostenlos erhaltlich sind (z.B. aus der Wikipedia-Enzyklopadie). Anodisches Bonden ist ein Verbindungsverfahren, das besonders bei der Herstellung von Sensoren und mikromechanischen Bauelementen der Halbleiter- und Mikrosystemtechnik zur Anwendung kommt. Das Verfahren stellt sich wie folgt dar: Ein Silizium-Wafer mit einer polierten Oberflache und ein sehr ebener Wafer aus Glas, das Alkaliionen enthalt - also ahnlich wie Fensterglas, werden auf eine Heizplatte gelegt und diese auf ca. 300 bis 400 °C erwarmt.[1] Der Siliziumwafer liegt direkt auf der Heizplatte und daruber der Glas-Wafer. Nun wird auf den Glas-Wafer an einen Punkt eine Punktelektrode leicht aufgedruckt. Die Heizplatte ist die Gegenelektrode. Der Silizium-Wafer ist bei den Temperaturen ausreichend eigenleitend. Die Erwarmung bewirkt, dass die im Glas befindlichen Ionen, wie Kalium und Natrium sich freier bewegen konnen. Wird nun...